一种多波长GaN基垂直腔面发射激光器的有源区结构设计
文献类型：专利
| 作者 | 翁国恩; 陈少强; 胡小波; 梅洋 |
| 发表日期 | 2018-01-30 |
| 专利号 | CN107645123A |
| 著作权人 | 华东师范大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种多波长GaN基垂直腔面发射激光器的有源区结构设计 |
| 英文摘要 | 本发明涉及氮化物半导体垂直腔面发射激光器领域，公开了一种多波长GaN基垂直腔面发射激光器的有源区结构设计方法，包括对激光器腔长、量子点位置以及量子点尺寸的设计；通过对多层量子点的尺寸和其在谐振腔内空间位置的精确设计，使得不同尺寸量子点的发光与对应的腔模及腔内的驻波光场实现最大程度的耦合，从而使得多个激光模式同时获得足够大的增益并最终实现稳定的多波长激光输出。同时，本发明还提供了采用这种有源区制作的多波长GaN基垂直腔面发射激光器的具体器件结构及其应用。 |
| 公开日期 | 2018-01-30 |
| 申请日期 | 2017-09-27 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56618]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华东师范大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 翁国恩,陈少强,胡小波,等. 一种多波长GaN基垂直腔面发射激光器的有源区结构设计. CN107645123A. 2018-01-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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