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Contact architectures for tunnel junction devices

文献类型:专利

作者YONKEE, BENJAMIN P.; YOUNG, ERIN C.; FORMAN, CHARLES; LEONARD, JOHN T.; LEE, SEUNGGEUN; COHEN, DAN; FARRELL, ROBERT M.; IZA, MICHAEL; SAIFADDIN, BURHAN; ALMOGBEL, ABDULLAH
发表日期2018-02-22
专利号WO2018035322A1
著作权人THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
国家世界知识产权组织
文献子类发明申请
其他题名Contact architectures for tunnel junction devices
英文摘要A flip chip III-Nitride LED which utilizes a dielectric coating backed by a metallic reflector (e.g., aluminum or silver). High reflectivity and low resistance contacts for optoelectronic devices. Low ESD rating optoelectronic devices. A VCSEL comprising a tunnel junction for current and optical confinement.
公开日期2018-02-22
申请日期2017-08-17
状态未确认
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56659]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
推荐引用方式
GB/T 7714
YONKEE, BENJAMIN P.,YOUNG, ERIN C.,FORMAN, CHARLES,et al. Contact architectures for tunnel junction devices. WO2018035322A1. 2018-02-22.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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