一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 刘兴宇; 邵志强; 孙权; 桂勇雷; 崔洪亮; 邓崇杰 |
| 发表日期 | 2018-03-16 |
| 专利号 | CN107809056A |
| 著作权人 | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器 |
| 英文摘要 | 一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器，本发明涉及一种半导体激光器。本发明要解决现有激光器难以满足单模、高功率、高光束质量、窄线宽、高相干、波长可调谐的问题。一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器由半导体激光器增益芯片、准直透镜、双折射滤波器、法布里‑珀罗标准具及输出耦合镜组成；所述的半导体激光器增益芯片的出光方向上依次设有准直透镜、双折射滤波器、法布里‑珀罗标准具及输出耦合镜；所述的半导体激光器增益芯片的发射波长为795nm；所述的半导体激光器增益芯片包括DBR反射镜、增益区及窗口层。其可以输出满足应用要求的窄线宽激光，且波长线性连续可调，满足单模、高功率、高光束质量及高相干。 |
| 公开日期 | 2018-03-16 |
| 申请日期 | 2017-11-22 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56683]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘兴宇,邵志强,孙权,等. 一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器. CN107809056A. 2018-03-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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