一种多波长GaN基非对称量子阱面发射激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 翁国恩; 陈少强; 胡小波 |
| 发表日期 | 2018-04-06 |
| 专利号 | CN107887790A |
| 著作权人 | 华东师范大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种多波长GaN基非对称量子阱面发射激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种多波长GaN基非对称量子阱面发射激光器及其制备方法，涉及半导体激光器领域。采用非对称量子阱作为有源区来实现激光器的多波长输出，包括两个及两个以上激光波长。器件制备过程包括非平面金属键合、激光剥离、腔长控制以及图形化分布布拉格反射镜制作等。这种多波长面发射激光器具有巨大的应用潜力，可用于空间精确测距、太赫兹信号发生器、光混频、激光光谱学、医疗检测以及增强现实(AR)和三维成像等众多领域。本发明的优势还在于易于实现器件的二维阵列结构，非常适合大规模产业化生产，有利于器件的商品化与实用化。 |
| 公开日期 | 2018-04-06 |
| 申请日期 | 2017-09-27 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56711]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华东师范大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 翁国恩,陈少强,胡小波. 一种多波长GaN基非对称量子阱面发射激光器及其制备方法. CN107887790A. 2018-04-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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