具有多量子阱结构的半导体激光二极管
文献类型：专利
| 作者 | 小河直毅 |
| 发表日期 | 2018-05-08 |
| 专利号 | CN108011295A |
| 著作权人 | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 具有多量子阱结构的半导体激光二极管 |
| 英文摘要 | 本申请公开了具有光栅的半导体激光二极管(LD)。LD包括掩埋光栅的下包覆层、以及有源层和上包覆层。有源层具有彼此交替布置的势垒层和阱层的多量子阱(MQW)结构。MQW结构还包括在势垒层和阱层之间的中间层，并且具有势垒层和阱层的晶格常数之间的晶格常数。中间层的厚度小于1nm。 |
| 公开日期 | 2018-05-08 |
| 申请日期 | 2017-10-31 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56751]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小河直毅. 具有多量子阱结构的半导体激光二极管. CN108011295A. 2018-05-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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