一种非易失性存储器单元、其制备方法及非易失性存储器
文献类型：专利
| 作者 | 陈一仁; 宋航; 黎大兵; 蒋红; 缪国庆; 李志明; 孙晓娟; 张志伟 |
| 发表日期 | 2018-05-29 |
| 专利号 | CN108091657A |
| 著作权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种非易失性存储器单元、其制备方法及非易失性存储器 |
| 英文摘要 | 本发明提供的非易失性存储器单元适用于Ⅲ族氮化物材料，且满足制备高密度全氮化物材料非易失性存储器件的要求。其中，Si3N4材料台面(7)作为阻抗开关层，实现存储功能。AlN材料台面(6)作为隧穿势垒层，缓解阻抗开关层(Si3N4材料台面)中存在的漏电通道对忆阻器稳定性的破坏，提升忆阻器的非易失性存储器开关过程的可靠性和状态稳定性。发展这种非易失性存储器单元，有望开发Ⅲ族氮化物半导体在发光、激光、光电探测以及高电子迁移率晶体管等应用领域之外的新用途，弥补其在存储器应用领域的空白，利于与氮化物半导体发光二极管、激光二极管、光电探测器以及高电子迁移率晶体管等实现基于全氮化物材料体系的单片光电集成。 |
| 公开日期 | 2018-05-29 |
| 申请日期 | 2017-12-27 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56785]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈一仁,宋航,黎大兵,等. 一种非易失性存储器单元、其制备方法及非易失性存储器. CN108091657A. 2018-05-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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