一种小孔径垂直腔半导体激光器结构
文献类型：专利
| 作者 | 崔碧峰; 王阳; 房天啸; 郝帅; 程瑾 |
| 发表日期 | 2018-06-01 |
| 专利号 | CN108110615A |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种小孔径垂直腔半导体激光器结构 |
| 英文摘要 | 一种小孔径垂直腔半导体激光器结构涉及半导体光电子学技术领域。这种小孔径的垂直腔半导体激光器结构，包括衬底上的N面电极、N型DBR、有源区、P型DBR、SiO2层、ZnO透明电极和P面电极，实现了小出光孔径。解决了传统垂直腔半导体激光器以氧化物限制难以实现小出光孔径的问题。该发明在ZnO透明电极的作用下能够达到亚微米的出光孔径，以实现亚波长出光的目的，而且工艺容易实现，操作简单，成为小型化、效率高、可携带和节能环保的新型光源。 |
| 公开日期 | 2018-06-01 |
| 申请日期 | 2017-11-29 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56795]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 崔碧峰,王阳,房天啸,等. 一种小孔径垂直腔半导体激光器结构. CN108110615A. 2018-06-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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