半导体激光器和用于制造半导体激光器的方法
文献类型:专利
作者 | 弗兰克·辛格; 诺温·文马尔姆; 蒂尔曼·鲁戈海默; 托马斯·基佩斯 |
发表日期 | 2018-06-08 |
专利号 | CN108141007A |
著作权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半导体激光器和用于制造半导体激光器的方法 |
英文摘要 | 在一个实施方式中,半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)。半导体层序列(2)包含n型传导区域(23)、p型传导区域(21)和位于其之间的有源区(22)。在谐振器段(3)中产生激光辐射。谐振器段(3)平行于有源区(22)定向。此外,半导体激光器(1)包含电的p型接触部(41)和电的n型接触部(43),所述p型接触部和n型接触部各自处于半导体层序列(2)的所属的区域(21,23)上,并且所述p型接触部和n型接触部设计用于将电流直接馈入所属的区域(21,23)中。n型接触部(43)从p型传导区域(21)起穿过有源区(22)延伸到n型传导区域(23)中,并且在俯视图中观察处于谐振器段(3)旁边。 |
公开日期 | 2018-06-08 |
申请日期 | 2016-09-29 |
状态 | 申请中 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56809] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 弗兰克·辛格,诺温·文马尔姆,蒂尔曼·鲁戈海默,等. 半导体激光器和用于制造半导体激光器的方法. CN108141007A. 2018-06-08. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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