用于EPI工艺的晶片加热的二极管激光器
文献类型：专利
| 作者 | 舒伯特·S·楚; 道格拉斯·E·霍姆格伦; 卡尔蒂克·萨哈; 帕拉姆拉里·贾金德拉; 尼欧·O·谬; 普雷塔姆·拉奥; 凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔; 叶祉渊; 马丁·A·希尔金; 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 |
| 发表日期 | 2018-06-08 |
| 专利号 | CN108140597A |
| 著作权人 | 应用材料公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 用于EPI工艺的晶片加热的二极管激光器 |
| 英文摘要 | 本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体处理的设备和方法，更特定地，涉及热工艺腔室。热工艺腔室可包括基板支撑件，设置在基板支撑件之上方的第一多个加热元件，和设置在第一多个加热元件上方的一个或多个高能量辐射源组件。一个或多个高能量辐射源组件用于在处理期间向设置在基板支撑件上的基板上的冷区域提供局部加热。基板的局部加热改善温度轮廓，这又改善了沉积均匀性。 |
| 公开日期 | 2018-06-08 |
| 申请日期 | 2016-10-07 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56810]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 应用材料公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 舒伯特·S·楚,道格拉斯·E·霍姆格伦,卡尔蒂克·萨哈,等. 用于EPI工艺的晶片加热的二极管激光器. CN108140597A. 2018-06-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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