一种电注入GaN垂直腔面发射激光器结构及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 李林; 曾丽娜; 李再金; 赵志斌; 李特; 乔忠良; 任永学; 曲轶; 彭鸿雁 |
| 发表日期 | 2018-06-29 |
| 专利号 | CN108233176A |
| 著作权人 | 海南师范大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种电注入GaN垂直腔面发射激光器结构及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明属于半导体光电子技术领域，涉及一种电注入GaN垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构及其制备方法，包括底部分布布拉格反射镜(DBR)和顶部DBR以及电流注入孔径的制作方法，从而实现GaN基VCSEL电注入激光光源。本发明提出一种带有VCSEL电流注入层外延结构，即在隧道结上方外延生长一层电流注入层，然后利用电化学刻蚀工艺制备出电流注入孔径。本发明无需二次外延生长顶部DBR结构，只需一次外延生长即可完成GaN垂直腔面发射激光器完整外延结构，从而能够保证获得高质量的外延材料。本发明提出的VCSEL电流注入结构能有效地限制侧向电流的扩散，提高电流注入多量子阱有源区的均匀性，降低器件的阈值电流密度，从而有利于实现VCSEL电注入激光光源。 |
| 公开日期 | 2018-06-29 |
| 申请日期 | 2018-01-28 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56852]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 海南师范大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李林,曾丽娜,李再金,等. 一种电注入GaN垂直腔面发射激光器结构及其制备方法. CN108233176A. 2018-06-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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