硅基微纳米混合结构光控太赫兹波调制器及其制备方法
文献类型:专利
作者 | 文岐业; 金浓; 朱韵樵; 文天龙; 杨青慧; 陈智![]() |
发表日期 | 2018-07-06 |
专利号 | CN108254944A |
著作权人 | 电子科技大学 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 硅基微纳米混合结构光控太赫兹波调制器及其制备方法 |
英文摘要 | 本发明提供一种硅基微纳米混合结构光控太赫兹波调制器及其制备方法,包括硅基底、微米金字塔结构、纳米孔洞结构、半导体激光器、光纤调制器、太赫兹波源、太赫兹探测器,硅基底、微米金字塔结构、纳米孔洞结构构成硅基微纳米混合结构;太赫兹波源的太赫兹波束入射到微米金字塔结构上,太赫兹探测器用于接收太赫兹波源经过硅基微纳米混合结构的太赫兹信号;本发明的调制器可以工作在低至10mW/mm2的极低激光功率下,在300mW/mm2的激光功率下,器件最高调制深度可以达到95%;工作频段覆盖0.1‑5THz的超宽带太赫兹频段,具有很大调制速率(3MHz)的同时保持很大的调制深度和较小的插损。 |
公开日期 | 2018-07-06 |
申请日期 | 2018-01-19 |
状态 | 申请中 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56862] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 电子科技大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 文岐业,金浓,朱韵樵,等. 硅基微纳米混合结构光控太赫兹波调制器及其制备方法. CN108254944A. 2018-07-06. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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