一种半导体激光器材料钝化方法
文献类型：专利
| 作者 | 魏志鹏; 方铉; 唐吉龙; 贾慧民; 房丹; 李浩林; 李如雪; 郝永琴; 王晓华; 马晓辉 |
| 发表日期 | 2018-07-17 |
| 专利号 | CN108288816A |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体激光器材料钝化方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器材料钝化方法。该方法适用于对半导体激光器谐振腔腔面材料进行钝化处理，具体包括用离子束对半导体激光器谐振腔腔面材料进行轰击清洗和采用ALD技术对半导体激光器谐振腔腔面沉积AlN钝化层实现。本发明公开的这种半导体激光器材料钝化方法，在真空环境中用离子束轰击谐振腔表面后有效去除腔面的氧化层、腔面污染、表面态、表面材料位错、表面材料的悬挂键，获得洁净的半导体激光器谐振腔腔面，在等离子体辅助条件下实现ALD装置中低温沉积获得AlN钝化层对谐振腔腔面进行保护。本发明公开的这种方法通过对谐振腔腔面进行工艺处理，提高了半导体激光器的腔面损伤阈值，实现器件的输出功率、寿命和性能稳定性的提高。 |
| 公开日期 | 2018-07-17 |
| 申请日期 | 2018-01-12 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56877]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏志鹏,方铉,唐吉龙,等. 一种半导体激光器材料钝化方法. CN108288816A. 2018-07-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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