氮化物半导体发光器件及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 高宏伟; 杨辉 |
| 发表日期 | 2018-07-20 |
| 专利号 | CN108305918A |
| 著作权人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体发光器件及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本申请公开了一种氮化物半导体发光器件及其制作方法。所述氮化物半导体发光器件包括外延结构，所述外延结构具有第一面和与第一面相背对的第二面，所述第一面为面并位于所述外延结构的n型侧，所述第二面位于所述外延结构的p型侧，所述外延结构的n型侧与n型电极电性接触，p型侧与p型电极电性接触，并且所述第一面形成有脊型波导结构。本申请的氮化物半导体发光器件，特别是III‑V族氮化物半导体激光器或超辐射发光二极管具有电阻低、内损耗低、阈值电流小、热阻小、稳定性和可靠性好等优点，同时其制备工艺简单易实施。 |
| 公开日期 | 2018-07-20 |
| 申请日期 | 2017-01-12 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56883]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙钱,冯美鑫,周宇,等. 氮化物半导体发光器件及其制作方法. CN108305918A. 2018-07-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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