发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 云峰; 张思超; 王善力; 陆冰睿 |
| 发表日期 | 2018-07-31 |
| 专利号 | CN108346675A |
| 著作权人 | 海迪科(南通)光电科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件及其制备方法，所述发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件包括若干个密集排布的发光像素单元，所述发光像素单元设置在衬底上；在同一衬底上还设置有控制同一衬底上发光像素单元发光的控制单元。本发明的优点在于：本发明发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件，将发光像素单元和控制单元设置在同一衬底上，与控制单元与发光单元通过bonding结合方式相比，大大降低了工艺精准要求；同时，该结构的设置也能适用于尺寸较小的二极管芯片，特别是微米量级的二极管芯片，从而可提高显示器件的分辨率，进而能够延长发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件的使用寿命。 |
| 公开日期 | 2018-07-31 |
| 申请日期 | 2017-12-28 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56900]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 海迪科(南通)光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 云峰,张思超,王善力,等. 发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件及其制备方法. CN108346675A. 2018-07-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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