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Low impedance vcsels

文献类型:专利

作者MATHAI, SAGI; TAN, MICHAEL RENNE TY; SORIN, WAYNE VICTOR
发表日期2018-08-16
专利号US20180233881A1
著作权人HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP
国家美国
文献子类发明申请
其他题名Low impedance vcsels
英文摘要In example implementations of a vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL), the VCSEL includes a p-type distributed Bragg reflector (p-DBR) layer end a p-type ohmic (p-ohmic) contact layer adjacent to the p-DBR layer. The p DBR layer may include an oxide aperture and the p-ohmic contact layer may have an opening that is aligned with the oxide aperture. The opening may be filled with a dielectric material. A metal layer may be coupled to the p-ohmic contact layer and encapsulate the dielectric material.
公开日期2018-08-16
申请日期2015-08-10
状态申请中
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56924]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP
推荐引用方式
GB/T 7714
MATHAI, SAGI,TAN, MICHAEL RENNE TY,SORIN, WAYNE VICTOR. Low impedance vcsels. US20180233881A1. 2018-08-16.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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