一种端面刻蚀半导体激光器的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 薛正群; 吴林福生; 黄章挺; 杨重英; 邓仁亮; 李敬波; 高家敏; 苏辉 |
| 发表日期 | 2018-09-04 |
| 专利号 | CN108493765A |
| 著作权人 | 福建中科光芯光电科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种端面刻蚀半导体激光器的制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种端面刻蚀半导体激光器的制备方法，采用的外延片为光通信波段InP基半导体激光器外延片，其外延片结构为InP衬底、InP缓冲层、禁带宽度和折射率渐变的InGaAsP下波导层、InGaAsP多量子阱有源区、InGaAsP上波导层、P‑InP和P‑InGaAsP过渡层、P‑InP空间层、P‑InGaAsP光栅层、P‑InP保护层。对一次外延片进行全息光栅制备，以及再生长，并进行激光器脊型制备，采用干法刻蚀结合湿法腐蚀的方法制备倾斜的出光端面。本发明采用干法刻蚀结合湿法腐蚀的方法来形成激光器的出光端面；由于倾斜的出光端面使得FP在腔面反馈的增益减小，从而降低了对镀膜条件的要求，提高了单模出光的成品率。 |
| 公开日期 | 2018-09-04 |
| 申请日期 | 2018-03-13 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56961]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 福建中科光芯光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 薛正群,吴林福生,黄章挺,等. 一种端面刻蚀半导体激光器的制备方法. CN108493765A. 2018-09-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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