一种半导体激光器装置及制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 肖如磊; 赵雍; 施跃春; 陈向飞 |
| 发表日期 | 2018-09-04 |
| 专利号 | CN108493763A |
| 著作权人 | 南京大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体激光器装置及制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器装置及制作方法，解决现有装置和方法波长切换时间慢、功率损耗大、结构尺寸大、制作成本高的问题。所述装置，包含有源层、缓冲层，还包含：P电极、电隔离、大啁啾光栅、N电极；电隔离位于相邻的P电极之间；大啁啾光栅为线性啁啾光栅，位于P电极下方，大啁啾光栅中均匀插入相移，相移个数与P电极个数相同，每个相移对应1个P电极，大啁啾光栅用于形成多纵模谐振腔，多纵模谐振腔对应的纵模激射工作波长最小值、最大值与所述大啁啾光栅的最小周期、最大周期相对应；有源层位于大啁啾光栅下方；缓冲层位于有源层下方；N电极位于缓冲层下方。所述方法用于制作所述装置。本发明实现了激光器波长快速切换的问题。 |
| 公开日期 | 2018-09-04 |
| 申请日期 | 2018-02-13 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56963]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 南京大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖如磊,赵雍,施跃春,等. 一种半导体激光器装置及制作方法. CN108493763A. 2018-09-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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