脊型波导结构激光器P型电极的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 周代兵; 赵玲娟; 梁松; 王圩 |
| 发表日期 | 2018-09-04 |
| 专利号 | CN108493768A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 脊型波导结构激光器P型电极的制备方法 |
| 英文摘要 | 一种脊型波导结构激光器P型电极的制备方法，包括如下制作步骤：步骤1：在衬底上依次生长有源层、第一接触层和第二接触层；步骤2：刻蚀，在有源层上的中间形成激光器的脊型波导结构；步骤3：在脊型波导结构的两侧及有源层上面制备二氧化硅绝缘层；步骤4：采用反转型光刻胶，光刻出激光器的电极图形；步骤5：采用共焦溅射的方法，带胶剥离工艺，依次溅射生长钛/铂/金三层金属薄层；步骤6：在丙酮中浸泡剥离电极图形之外的光刻胶，再采用反转胶光刻出电极需要加厚的图形，并在激光器腔面解理处留下解理间隙；步骤7：采用电镀的方法，电镀出厚金薄膜；步骤8：在丙酮中浸泡去掉光刻胶，完成脊型波导结构半导体激光器电极的制备。 |
| 公开日期 | 2018-09-04 |
| 申请日期 | 2018-04-10 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56964]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周代兵,赵玲娟,梁松,等. 脊型波导结构激光器P型电极的制备方法. CN108493768A. 2018-09-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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