基于非线性效应的半导体激光器强度噪声抑制装置及抑制方法
文献类型：专利
| 作者 | 秦晓琼; 应康; 陈迪俊; 魏芳; 蔡海文; 瞿荣辉 |
| 发表日期 | 2018-09-04 |
| 专利号 | CN108493762A |
| 著作权人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 基于非线性效应的半导体激光器强度噪声抑制装置及抑制方法 |
| 英文摘要 | 一种基于非线性效应的半导体激光器强度噪声抑制装置及抑制方法，包括半导体激光器、准直镜、衍射光栅和半导体激光器控制器，所述的半导体激光器控制器为半导体激光器提供驱动电流和温度控制，所述的半导体激光器发出的光束依次经过所述的准直镜和衍射光栅，在准直镜和衍射光栅之间的光路上插入参量倍频晶体，且半导体激光器、准直镜、参量倍频晶体和衍射光栅同光轴。本发明利用参量倍频晶体的fs量级超快响应时间，结合半导体激光器外腔反馈，可实现窄线宽、低相位噪声、宽频段强度噪声抑制，同时具有集成度高、频率稳定、易于产品化的优点。 |
| 公开日期 | 2018-09-04 |
| 申请日期 | 2018-01-26 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56966]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 秦晓琼,应康,陈迪俊,等. 基于非线性效应的半导体激光器强度噪声抑制装置及抑制方法. CN108493762A. 2018-09-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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