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一种应用在垂直腔面发射激光器中的分布式布拉格反射镜

文献类型:专利

作者崔利杰; 张杨; 曾一平
发表日期2018-10-02
专利号CN108616032A
著作权人中科芯电半导体科技(北京)有限公司
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种应用在垂直腔面发射激光器中的分布式布拉格反射镜
英文摘要本发明公开了一种应用在垂直腔面发射激光器中的分布式布拉格反射镜,采用二元数字合金GaAs/AIAs超晶格材料作为高折射率材料层,形成一种新型的二元数字合金GaAs/AIAs半导体超晶格型分布式布拉格反射镜DBR,在上述结构的DBR反射镜中,由于二元数字合金GaAs/AIAs超晶格材料的引入省去了异质界面的组分过渡层,简化了器件的结构设计,使得外延生长过程中对生长参数更易控制,同时由于超晶格各层的厚度与电子的德布洛意波长在同一数量级,使载流子通过隧道效应形成的隧道电流增强从而有利于DBR反射镜获得较低的串联电阻。
公开日期2018-10-02
申请日期2018-06-25
状态申请中
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57025]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中科芯电半导体科技(北京)有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
崔利杰,张杨,曾一平. 一种应用在垂直腔面发射激光器中的分布式布拉格反射镜. CN108616032A. 2018-10-02.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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