一种含取向膜的单偏振可调谐半导体激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 邹永刚; 李保志; 石琳琳; 马晓辉; 王小龙; 范杰; 王海珠; 徐英添; 张贺 |
| 发表日期 | 2018-10-02 |
| 专利号 | CN108616031A |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种含取向膜的单偏振可调谐半导体激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种含取向膜的单偏振可调谐半导体激光器，从上到下依次为：上反射层、中间层、激光器half‑VCSEL区，中间层包括液晶层和间隔层，间隔层围绕圆台结构形成一圈墙面结构，液晶层位于上述墙面结构内；其中的液晶层实现了激光器内部偏振增益各向异性，可使TE/TM偏振基态对应的波长位置有效分离，进而实现宽调谐范围波长偏振稳定控制；液晶层与VCSEL半导体材料连接界面处，在液晶“形式双折射”效应的作用下，大大提高液晶层的调谐效率。本发明还公开了提供上述激光器的制备方法。 |
| 公开日期 | 2018-10-02 |
| 申请日期 | 2018-04-20 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57029]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邹永刚,李保志,石琳琳,等. 一种含取向膜的单偏振可调谐半导体激光器及其制备方法. CN108616031A. 2018-10-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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