分布反馈型半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 斋藤真司; 角野努; 山根统; 津村明 |
| 发表日期 | 2018-10-23 |
| 专利号 | CN108701963A |
| 著作权人 | 株式会社东芝 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布反馈型半导体激光器 |
| 英文摘要 | 分布反馈型半导体激光器具有半导体层叠体和第一电极。上述半导体层叠体包括第一层、设置在上述第一层之上且能够通过子带间光跃迁射出激光的有源层、和设置在上述有源层之上的第二层。上述半导体层叠体具有包括平坦部和槽部的第一面，该平坦部包括上述第二层的表面，该槽部从上述表面到达上述第一层，上述平坦部具有沿着第一直线延伸的第一区域和以与上述第一直线正交的方式延伸的第二区域，上述槽部和上述第二区域在上述第一区域的外侧构成沿着上述第一直线具有规定间距的衍射光栅。上述第一电极设于上述第一区域。 |
| 公开日期 | 2018-10-23 |
| 申请日期 | 2016-09-01 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57071]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社东芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 斋藤真司,角野努,山根统,等. 分布反馈型半导体激光器. CN108701963A. 2018-10-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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