垂直共振腔面射激光结构及制法
文献类型：专利
| 作者 | 林炳成; 陈志诚; 曾竑维 |
| 发表日期 | 2018-11-02 |
| 专利号 | CN108736315A |
| 著作权人 | 光环科技股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 垂直共振腔面射激光结构及制法 |
| 英文摘要 | 一种垂直共振腔面射激光(VCSEL)结构及制法，具有独特的三沟渠结构。通过在凸台(mesa)内且位于光窗的外围设置一第一沟渠来降低整体电容与缩短氧化层的氧化工艺时间，且通过在凸台外围设置阶梯状下凹的第二沟渠及第三沟渠来形成阶梯状的双层凸台结构，通过形成够大的散热面积，达到降低热效应、并避免金属层的断金现象的功效。此外，通过光窗周围设置离子布植区来控制模态及局限电流，以及在光窗上形成一出光层来达到控制出光的功效。 |
| 公开日期 | 2018-11-02 |
| 申请日期 | 2017-04-13 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57089]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 光环科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林炳成,陈志诚,曾竑维. 垂直共振腔面射激光结构及制法. CN108736315A. 2018-11-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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