一种用于准确测试裸芯片电阻值的探针及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 邱德明; 张振峰; 杨国良 |
| 发表日期 | 2018-11-16 |
| 专利号 | CN108828280A |
| 著作权人 | 武汉盛为芯科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种用于准确测试裸芯片电阻值的探针及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了本发明提供了一种用于准确测试裸芯片电阻值的探针及及其制造方法，包括探针本体，所述探针本体为一体成型，所述探针本体采用下述材料：含有PP/SEBS基复合材料和配置在所述复合材料颗粒间的导电填充材料；其中，所述PP/SEBS基复合材料的质量百分比为70％‑99％，且PP/SEBS基复合材料中PP与SEBS的质量比为0.3‑2：1；所述导电填充材料的重量百分比为1％‑30％，且所述导电填充材料包括下述质量百分百的填料：65％‑80％的金属填料和20％‑35％的碳系填料。本发明中，通过在PP/SEBS基复合材料中填充合适配方的金属填料和碳系填料，制备出低电阻率、硬度高的探针材料。以本发明所提供的探针材料替代金作为半导体激光器芯片的探针，降低了生产成本。 |
| 公开日期 | 2018-11-16 |
| 申请日期 | 2018-08-10 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57126]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉盛为芯科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邱德明,张振峰,杨国良. 一种用于准确测试裸芯片电阻值的探针及其制造方法. CN108828280A. 2018-11-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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