一种利用半导体激光器诱导聚酰亚胺表面碳化制备纳米高比表面积碳颗粒的方法
文献类型：专利
| 作者 | 吴盾; 刘春林; 成俊峰; 王强; 曹峥; 梁红伟 |
| 发表日期 | 2018-11-16 |
| 专利号 | CN108821262A |
| 著作权人 | 常州大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种利用半导体激光器诱导聚酰亚胺表面碳化制备纳米高比表面积碳颗粒的方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种利用半导体激光器诱导聚酰亚胺表面碳化制备纳米高比表面积碳颗粒的方法。该制备方法是以聚酰亚胺为原料，通过半导体激光器对其表面进行诱导扫描处理，从而制得纳米高比表面积碳颗粒材料。本发明工艺简单，反应条件温和，所采用的原料廉价易得，所制备的纳米多孔碳颗粒材料具有比表面积大、石墨化程度高、氧含量少等特点，是一种有望应用于吸附、催化、导电、导热等领域的新型材料。 |
| 公开日期 | 2018-11-16 |
| 申请日期 | 2018-07-10 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57127]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 常州大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴盾,刘春林,成俊峰,等. 一种利用半导体激光器诱导聚酰亚胺表面碳化制备纳米高比表面积碳颗粒的方法. CN108821262A. 2018-11-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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