半导体激光器非吸收窗口的制备方法及半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 井红旗; 王鑫 ; 赵懿昊; 袁庆贺; 刘素平; 马骁宇
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| 发表日期 | 2018-11-20 |
| 专利号 | CN108847575A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器非吸收窗口的制备方法及半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种半导体激光器非吸收窗口的制备方法及半导体激光器。所述方法包括：在外延片的非吸收窗口区域覆盖光刻胶掩膜进行保护；采用感应耦合等离子体刻蚀方法，通入气体产生的等离子体轰击所述外延片表面；去除所述外延片表面覆盖的光刻胶；在所述外延片表面生长一层氧化硅薄膜；将所述外延片进行热退火处理；去除所述外延片表面生长的氧化硅薄膜。用感应耦合等离子体刻蚀方法替代了生长介质膜形成保护的步骤，简化了制备过程，降低了工艺难度，减少了制备过程中的危险性。 |
| 公开日期 | 2018-11-20 |
| 申请日期 | 2018-07-16 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57142]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井红旗,王鑫,赵懿昊,等. 半导体激光器非吸收窗口的制备方法及半导体激光器. CN108847575A. 2018-11-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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