一种提升激光增益的VCSEL芯片及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 彭钰仁; 贾钊; 许晏铭; 洪来荣; 陈为民; 陈进顺; 翁妹芝; 张坤铭; 朱鸿根; 陈伟明 |
| 发表日期 | 2018-11-23 |
| 专利号 | CN108879328A |
| 著作权人 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种提升激光增益的VCSEL芯片及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本申请公开了一种提升激光增益的VCSEL芯片及其制备方法，其中，所述提升激光增益的VCSEL芯片的外延结构中，第一型包覆层、第一限制层、量子阱层、第二限制层和第二型包覆层构成了谐振腔结构，增加了VCSEL芯片的谐振腔结构的腔长，从而增加了谐振腔结构对于量子阱层产生的光线的增益，实现了提高VCSEL芯片的出射光线的功率的目的。并且由于第一限制层和第二限制层的存在，使得电极结构向量子阱层传输的电流仍然可以被第一限制层和第二限制层汇聚，从而实现向量子阱层的大电流的集中注入，保证了VCSEL芯片的基本功能。 |
| 公开日期 | 2018-11-23 |
| 申请日期 | 2018-09-18 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57148]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭钰仁,贾钊,许晏铭,等. 一种提升激光增益的VCSEL芯片及其制备方法. CN108879328A. 2018-11-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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