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一种水平结构VCSEL芯片及其制作方法和激光装置

文献类型:专利

作者贾钊; 赵炆兼; 马祥柱; 张国庆; 陈凯轩
发表日期2018-11-23
专利号CN108879326A
著作权人扬州乾照光电有限公司
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种水平结构VCSEL芯片及其制作方法和激光装置
英文摘要本发明公开了一种水平结构VCSEL芯片及其制作方法和激光装置,在降低水平结构VCSEL芯片制作难度的同时,将其第一电极和第二电极位于同侧,使得第一电极和第二电极之间电流仅需要在下DBR层背离衬底一侧表面和上DBR层朝向衬底一侧表面流动即可,而电流无需穿过下DBR层和上DBR层,降低了第一电极和第二电极之间电阻;此外,水平结构VCSEL芯片有利于芯片的散热,提高芯片性能。
公开日期2018-11-23
申请日期2018-07-06
状态申请中
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57150]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位扬州乾照光电有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
贾钊,赵炆兼,马祥柱,等. 一种水平结构VCSEL芯片及其制作方法和激光装置. CN108879326A. 2018-11-23.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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