一种水平结构VCSEL芯片及其制作方法和激光装置
文献类型:专利
作者 | 贾钊; 赵炆兼; 马祥柱; 张国庆; 陈凯轩 |
发表日期 | 2018-11-23 |
专利号 | CN108879326A |
著作权人 | 扬州乾照光电有限公司 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种水平结构VCSEL芯片及其制作方法和激光装置 |
英文摘要 | 本发明公开了一种水平结构VCSEL芯片及其制作方法和激光装置,在降低水平结构VCSEL芯片制作难度的同时,将其第一电极和第二电极位于同侧,使得第一电极和第二电极之间电流仅需要在下DBR层背离衬底一侧表面和上DBR层朝向衬底一侧表面流动即可,而电流无需穿过下DBR层和上DBR层,降低了第一电极和第二电极之间电阻;此外,水平结构VCSEL芯片有利于芯片的散热,提高芯片性能。 |
公开日期 | 2018-11-23 |
申请日期 | 2018-07-06 |
状态 | 申请中 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57150] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 扬州乾照光电有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 贾钊,赵炆兼,马祥柱,等. 一种水平结构VCSEL芯片及其制作方法和激光装置. CN108879326A. 2018-11-23. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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