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基于金属微腔的半导体激光器及其制作方法

文献类型:专利

作者温秋玲; 张家森; 徐西鹏
发表日期2018-11-23
专利号CN108879322A
著作权人华侨大学
国家中国
文献子类发明申请
其他题名基于金属微腔的半导体激光器及其制作方法
英文摘要本发明提供了一种基于金属微腔的半导体激光器及其制作方法,包括第一硅衬底、金属反射镜以及依次设置于所述硅衬底上的环氧树脂层、金属膜、金属层、绝缘介质层、有源层;所述金属反射镜的一端穿过所述有源层及绝缘介质层与所述金属膜抵接,所述金属反射镜的另一端暴露于空气中,所述金属层和金属反射镜组成一金属腔,作为半导体激光器的光学谐振腔。应用本技术方案可实现金属腔损耗小,不仅可以提高微腔的品质因子还可以降低激光的振荡阈值。
公开日期2018-11-23
申请日期2018-06-15
状态申请中
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57153]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位华侨大学
推荐引用方式
GB/T 7714
温秋玲,张家森,徐西鹏. 基于金属微腔的半导体激光器及其制作方法. CN108879322A. 2018-11-23.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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