单束激光的VCSEL芯片及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 贾钊; 赵炆兼; 马祥柱; 张国庆; 陈凯轩 |
| 发表日期 | 2018-11-23 |
| 专利号 | CN108879323A |
| 著作权人 | 扬州乾照光电有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 单束激光的VCSEL芯片及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及VCSEL芯片领域，提供了一种单束激光的VCSEL芯片及其制备方法。该芯片包括GaAs衬底、外延层、SiNx层、光栅层、三角形镜面、环氧树脂层以及电极；外延层生长于GaAs衬底的表面，外延层被蚀刻有凹槽以及多个相互独立的外延单元，多个外延单元沿凹槽的中心线均匀分布；SiNx层沉积于多个外延单元的表面，光栅层被制作于SiNx层的表面，三角形镜面位于凹槽内，环氧树脂层填充于三角形镜面的周围，电极连接至SiNx层的表面。其能够使得从多个外延单元发出的光可以汇聚成一束激光，从而导致单束激光的VCSEL芯片的出光功率高。该制备方法简单，获得的芯片发光可以汇聚成一束激光，出光功率高。 |
| 公开日期 | 2018-11-23 |
| 申请日期 | 2018-06-26 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57154]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 扬州乾照光电有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贾钊,赵炆兼,马祥柱,等. 单束激光的VCSEL芯片及其制备方法. CN108879323A. 2018-11-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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