一种VCSEL阵列芯片及制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 贾钊; 赵炆兼; 马祥柱; 张国庆; 陈凯轩 |
| 发表日期 | 2018-11-23 |
| 专利号 | CN108879325A |
| 著作权人 | 扬州乾照光电有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种VCSEL阵列芯片及制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种VCSEL阵列芯片及制作方法，该制作方法包括：提供一衬底；在衬底上生长第一半导体层，第一半导体层包括至少两个凹槽；在第一半导体层背离衬底的一侧形成第一光栅层，第一光栅层覆盖第一半导体层的侧壁；在第一光栅层背离第一半导体层的一侧形成MQW多量子阱层；在MQW多量子阱层背离第一光栅层的一侧形成第二光栅层，第二光栅层覆盖MQW多量子阱层的侧壁；在第二光栅层背离MQW多量子阱层的一侧形成第二半导体层；在第二半导体层背离第二光栅层的一侧第一保护层，第一保护层覆盖第二半导体层和第一光栅层和第二光栅层的侧壁；在多个凹槽内形成DBR反射镜结构，制作正面电极。该制作方法提高了芯片的出光效率。 |
| 公开日期 | 2018-11-23 |
| 申请日期 | 2018-07-05 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57155]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 扬州乾照光电有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贾钊,赵炆兼,马祥柱,等. 一种VCSEL阵列芯片及制作方法. CN108879325A. 2018-11-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。