一种半导体激光器及制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 佟存柱; 王延靖; 张新; 舒世立; 汪丽杰; 田思聪; 王立军 |
| 发表日期 | 2018-11-27 |
| 专利号 | CN108899760A |
| 著作权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体激光器及制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器及制作方法，所述半导体激光器包括：外延层结构，所述外延层结构划分为第一区域和第二区域；设置在所述第一区域和所述第二区域之间的电隔离区；设置在所述第一区域的第一波导结构；设置在所述第二区域的第二波导结构，所述第二波导结构的侧壁为锯齿形状；设置在所述第二区域背离所述第一区域一侧的准直透镜；设置在所述准直透镜背离所述外延层结构一侧的输出耦合镜。该半导体激光器通过第二波导结构侧壁的锯齿形状结构和输出耦合镜形成一个谐振腔，外延层结构背离所述准直透镜的一端面和相邻所述准直透镜的一端面形成另一个谐振腔，这两个谐振腔组合成了耦合腔，在半导体被动锁模激光器中加入这种耦合腔效应，实现了高阶的谐波锁模。 |
| 公开日期 | 2018-11-27 |
| 申请日期 | 2018-07-12 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57164]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佟存柱,王延靖,张新,等. 一种半导体激光器及制作方法. CN108899760A. 2018-11-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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