非对称模式扩展小发散角半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 熊迪; 谭满清; 郭文涛; 曹营春; 赵亚利 |
| 发表日期 | 2018-11-27 |
| 专利号 | CN108899761A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 非对称模式扩展小发散角半导体激光器 |
| 英文摘要 | 一种非对称模式扩展小发散角半导体激光器，包括：衬底；缓冲层，形成于衬底之上；模式扩展层，形成于缓冲层之上；空间层，形成于模式扩展层之上；N型限制层，形成于空间层之上；下波导层，形成于N型限制层上；有源区，形成于下波导层上；上波导层，形成于有源区上；P型限制层，形成于上波导层上，与所述N型限制层的制备材料的掺杂浓度和厚度不同；第一上盖层，形成于P型限制层上；第二上盖层，形成于第一上盖层之上；第三上盖层，形成于第二上盖层上；以及欧姆接触层，形成于第三上盖层之上，通过上述非对称模式扩展小发散角半导体激光器以缓解现有技术中激光器输出光斑质量差，耦合效率低，损耗大，整形难等技术问题。 |
| 公开日期 | 2018-11-27 |
| 申请日期 | 2018-07-12 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57165]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 熊迪,谭满清,郭文涛,等. 非对称模式扩展小发散角半导体激光器. CN108899761A. 2018-11-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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