一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器
文献类型：专利
| 作者 | 张保平; 任伯聪; 陈衍晖; 应磊莹; 郑志威 |
| 发表日期 | 2018-11-30 |
| 专利号 | CN108923255A |
| 著作权人 | 厦门大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器 |
| 英文摘要 | 一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器，涉及半导体激光器。采用垂直内腔接触结构，从下到上依次设有支撑基板、下分布布拉格反射镜、下电极、透明电流扩展层、电流限制层、外延层、上电极和上分布布拉格反射镜；所述电流限制层使用氧化铝材料，氧化铝材料的分子式为Al2O3。外延层为氮化镓、氮化铟、氮化铝等组成的混合物外延层。上电极和下电极采用Ni/Au、Cr/Au或Ti/Au。氧化铝Al2O3的制备方法为物理镀膜或化学镀膜。制作方法多样简单，改善了原有电流限制层在垂直结构上对热传导的阻碍效果，降低了热效应对激光器的不良影响，增强散热性，提高器件的稳定性并延长其寿命。 |
| 公开日期 | 2018-11-30 |
| 申请日期 | 2018-08-10 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57173]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张保平,任伯聪,陈衍晖,等. 一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器. CN108923255A. 2018-11-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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