一种激光二极管及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 雷双瑛; 郭斯佳; 沈海云 |
| 发表日期 | 2018-11-30 |
| 专利号 | CN108923257A |
| 著作权人 | 东南大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种激光二极管及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种激光二极管及其制备方法，所述二极管由下至上依次包括：下电极(1)、衬底(2)、下包覆层(3)、有源层(4)、上包覆层(5)和上电极(6)；其制备方法如下：1)在干净的硅衬底(2)上表面沉积下包覆层(3)；2)在下包覆层(3)上表面沉积有源层(4)；3)在有源层(4)上表面沉积上包覆层(5)；4)在上包覆层(5)上表面蒸镀一层金属层，作为上电极(6)；在硅衬底(2)的下表面蒸镀一层金属层，作为下电极(1)。该激光二极管具有氮化硼‑八磷化二钾异质结，不仅表现出较高的效率，而且其结构稳定，工作时间长，不易退化失效，制备工艺更简单。 |
| 公开日期 | 2018-11-30 |
| 申请日期 | 2018-06-13 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57174]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 东南大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 雷双瑛,郭斯佳,沈海云. 一种激光二极管及其制备方法. CN108923257A. 2018-11-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。