一种单腔体结构VCSEL芯片及其制作方法和激光装置
文献类型：专利
| 作者 | 贾钊; 赵炆兼; 马祥柱; 张国庆; 陈凯轩 |
| 发表日期 | 2018-11-30 |
| 专利号 | CN108923254A |
| 著作权人 | 扬州乾照光电有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种单腔体结构VCSEL芯片及其制作方法和激光装置 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种单腔体结构VCSEL芯片及其制作方法和激光装置，包括：衬底；形成于衬底一表面的LED发光外延层，LED发光外延层上形成有一贯窗口区；形成于LED发光外延层的表面的水平光栅，及形成于LED发光外延层位于窗口区处的侧壁上的垂直光栅；形成于窗口区内的DBR层；以及，形成于衬底背离LED发光外延层一侧的背面电极，及形成于LED发光外延层背离衬底一侧的正面电极。水平光栅将LED发光外延层的表面出光集中引导至垂直光栅处后，再与垂直光栅处的出光共同引导至DBR层形成的光学谐振腔后出射，由于LED发光外延层的内量子效率较高，因此能够使得单腔体结构VCSEL芯片的单束激光功率较高。 |
| 公开日期 | 2018-11-30 |
| 申请日期 | 2018-07-06 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57175]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 扬州乾照光电有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贾钊,赵炆兼,马祥柱,等. 一种单腔体结构VCSEL芯片及其制作方法和激光装置. CN108923254A. 2018-11-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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