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一种光通信波段低发散角DFB半导体激光器的制备方法

文献类型:专利

作者薛正群; 苏辉; 黄章挺; 邓仁亮; 李敬波
发表日期2018-12-07
专利号CN108963754A
著作权人福建中科光芯光电科技有限公司
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种光通信波段低发散角DFB半导体激光器的制备方法
英文摘要本发明涉及一种光通信波段低发散角DFB半导体激光器的制备方法,首先在N‑InP衬底上外延生长增益区;表面沉积SiO2介质层,光刻形成光场扩展结构选择生长区域,湿法腐蚀选择生长区域至衬底层;在生长增益区制备均匀布拉格光栅,腐蚀形成光栅,生长光栅覆盖层;上沉积SiO2介质层,光刻形成脊型结构,并采用溴素系腐蚀液腐蚀形成脊波导结构,脊波导在增益区域为直波导,在光场扩展区域为锥形波导;采用MOCVD完成外延生长,并进行后续激光器制备工艺:阻挡层再生长、最后生长;双沟槽制作,脊型开孔,蒸镀P面金属、减薄、蒸镀N面金属,氮气氛围中合金,解离,蒸镀端面光学膜,完成激光器芯片的制备。本发明降低激光器芯片发散角,提高器件至单模光纤的耦合效率。
公开日期2018-12-07
申请日期2018-07-02
状态申请中
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57185]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位福建中科光芯光电科技有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
薛正群,苏辉,黄章挺,等. 一种光通信波段低发散角DFB半导体激光器的制备方法. CN108963754A. 2018-12-07.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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