一种光通信波段多波长半导体激光器的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 薛正群; 苏辉; 吴林福生; 杨重英; 高家敏 |
| 发表日期 | 2018-12-07 |
| 专利号 | CN108963756A |
| 著作权人 | 福建中科光芯光电科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种光通信波段多波长半导体激光器的制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种光通信波段多波长半导体激光器的制备方法，首先在N‑InP衬底上，通过PECVD沉积SiO2介质层，光刻形成不同的生长区域图案，接着通过MOCVD生长缓冲层、波导和量子阱结构、光栅层，完成选择区域生长。采用电子束光刻在不同选择生长区域内刻写不同周期的光栅图案，腐蚀形成光栅，生长光栅覆盖层；采用典型的掩埋异质结激光器工艺，在选择生长区域的中心部分腐蚀形成台面，外延生长PNP电流阻挡层，去除脊型表面的介质层，外延进行最后生长；并光刻、腐蚀形成双沟结构，进行脊型表面开孔，电子束蒸发P面金属，减薄，蒸发N面金属，合金，解离形成巴条，腔面镀膜完成激光器。本发明实现不同区域出不同的出光波长，单片上不同波长的激光器阵列。 |
| 公开日期 | 2018-12-07 |
| 申请日期 | 2018-07-02 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57194]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 福建中科光芯光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 薛正群,苏辉,吴林福生,等. 一种光通信波段多波长半导体激光器的制备方法. CN108963756A. 2018-12-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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