半导体激光二极管芯片高速直调动态光谱测试方法及装置
文献类型：专利
| 作者 | 邱德明; 张振峰; 杨国良 |
| 发表日期 | 2018-12-11 |
| 专利号 | CN108983064A |
| 著作权人 | 武汉盛为芯科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光二极管芯片高速直调动态光谱测试方法及装置 |
| 英文摘要 | 本发明公开了半导体激光二极管芯片高速直调动态光谱测试方法和装置，方法包括以下步骤：步骤一、对芯片进行直流测试，测试芯片的直流特性指标；步骤二、根据步骤一测得的直流特性指标，计算出芯片在调制状态下的工作电流Iop，按照应用时的消光比计算出，峰值功率点P1及峰值功率点P0的工作电流I1、I0；步骤三、将偏置器切换到动态模式，电流源给出脉冲调制电流，调整脉冲调制电流加电的范围为I0～I1，测试芯片的动态光谱。本发明在芯片直流测试的基础上，增加调制测试，测试半导体激光二极管芯片的动态调制下的光谱特性，从而筛除未加调制和调制下激射的光谱会发生变化的芯片，从而提供后续续封装阶段的器件的合格率。 |
| 公开日期 | 2018-12-11 |
| 申请日期 | 2018-08-10 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57203]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉盛为芯科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邱德明,张振峰,杨国良. 半导体激光二极管芯片高速直调动态光谱测试方法及装置. CN108983064A. 2018-12-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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