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異なるVCSELタイプの異種組み合わせを有するインプラント再成長VCSELおよびVCSELアレイ

文献类型:专利

作者グラハム、ルーク エイ.; クアデリー、ソニア; ガズラ、ディーパ; ヤン、ハイクァン
发表日期2019-10-17
专利号JP2019530246A
著作权人フィニサー コーポレイション
国家日本
文献子类发明申请
其他题名異なるVCSELタイプの異種組み合わせを有するインプラント再成長VCSELおよびVCSELアレイ
英文摘要非平坦型VCSELは、活性領域の上方または下方に位置し第1の厚さを有する阻止領域と、阻止領域内に位置し第1の厚さよりも大きい第2の厚さを有する1つまたは複数の導電チャネルコアとを含み得る。阻止領域は、インプラントを有することによって画定される。1つまたは複数の導電チャネルコアは、インプラントを有していない。阻止領域は、1つまたは複数の導電チャネルコアの外側にある。阻止領域と1つまたは複数の導電チャネルコアとが分離領域である。VCSELは、分離領域の上方に位置する1つまたは複数の非平坦化半導体層の非平坦化半導体領域を含み得る。VCSELは、活性領域の下方の底部平坦ミラー領域と、分離領域の上方の頂部非平坦ミラー領域とを含むか、または活性領域の下方の底部非平坦ミラー領域を含み得る。
公开日期2019-10-17
申请日期2017-09-28
状态申请中
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57229]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位フィニサー コーポレイション
推荐引用方式
GB/T 7714
グラハム、ルーク エイ.,クアデリー、ソニア,ガズラ、ディーパ,等. 異なるVCSELタイプの異種組み合わせを有するインプラント再成長VCSELおよびVCSELアレイ. JP2019530246A. 2019-10-17.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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