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半导体激光装置、半导体激光模块以及焊接用激光源系统

文献类型:专利

作者池户教夫; 中谷东吾; 冈口贵大; 横山毅; 薮下智仁; 高山彻
发表日期2019-11-01
专利号CN110402524A
著作权人松下知识产权经营株式会社
国家中国
文献子类发明申请
其他题名半导体激光装置、半导体激光模块以及焊接用激光源系统
英文摘要半导体激光装置(1)在基板(101)的主面的上方,具备第1导电侧半导体层(100)、活性层(300)以及第2导电侧半导体层(200)被依次层叠的层叠构造体,以多模式进行激光振荡,第2导电侧半导体层(200)具有电流阻挡层(240),所述电流阻挡层(240)具有用于对电流注入区域进行划定的开口部(241),在层叠构造体中的从第1导电侧半导体层(100)的一部分到第2导电侧半导体层(200)的部分形成一对侧面(105),活性层(300)具有比开口部(241)的第1宽度宽的第2宽度,第1导电侧半导体层(100)的至少一部分中的一对侧面(105)相对于基板(101)的主面倾斜,对于在层叠构造体中导波的光,基板(101)的主面的法线方向上的光分布的最大强度位置处于第1导电侧半导体层(100)内。
公开日期2019-11-01
申请日期2018-02-27
状态申请中
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57235]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位松下知识产权经营株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
池户教夫,中谷东吾,冈口贵大,等. 半导体激光装置、半导体激光模块以及焊接用激光源系统. CN110402524A. 2019-11-01.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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