一种高功率的水平阵列式半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 马永坤; 李军; 席道明; 陈云; 吕艳钊; 魏皓 |
| 发表日期 | 2019-11-01 |
| 专利号 | CN110401108A |
| 著作权人 | 江苏天元激光科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种高功率的水平阵列式半导体激光器 |
| 英文摘要 | 一种高功率的水平阵列式半导体激光器，包括上压块、下压块、激光器单元、电极连接片、正极片、负极片、外冷却片、防护板；上压块、下压块设置于激光器单元两侧，呈对称设置；激光器单元设置于两个压块之间，单个激光器单元包括芯片、里冷却片、绝缘片、负极连接片；电级连接片设置于激光器单元两侧；正极片设置于一端激光器单元的底面；负极片设置于一端激光器的顶面；外冷却片设置于每侧电极连接片外侧；防护板分别贴合于上压块、下压块一侧，呈对称设置。本发明电极连接片的制造工艺难度，制造成本低，散热性能好，换热效率高，保证激光器可处于高性能运行状态。 |
| 公开日期 | 2019-11-01 |
| 申请日期 | 2019-07-31 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57237]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 江苏天元激光科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马永坤,李军,席道明,等. 一种高功率的水平阵列式半导体激光器. CN110401108A. 2019-11-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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