实现VCSEL阵列或VCSEL器件的集成电路
文献类型：专利
| 作者 | 杰弗·W·泰勒; 蔡建红 |
| 发表日期 | 2019-10-25 |
| 专利号 | CN110383486A |
| 著作权人 | 杰弗·W·泰勒 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 实现VCSEL阵列或VCSEL器件的集成电路 |
| 英文摘要 | 一种半导体器件包括多个VCSEL器件（或一个VCSEL器件)，其由包括以下项的层结构形成：（一个或多个）底部n型层、（一个或多个）中间p型层、形成在（一个或多个）中间p型层之上的n型调制掺杂量子阱结构、形成在（一个或多个）中间p型层和n型调制掺杂量子阱结构之间的至少一个间隔物层以及（一个或多个）顶部p型层。退火的氧注入区垂直设置在至少一个间隔物层内，以及退火的n型离子注入区垂直设置在（一个或多个）顶部p型层内。两个离子注入区可以以连续的方式在多个VCSEL器件之间围绕并横向延伸，以用于电流汇集和隔离。此外，相对于针对底部n型层的内建电子电荷Qn，针对中间p型层的内建空穴电荷Qp可以配置用于（一个或多个）VCSEL器件的类二极管电流‑电压特性。 |
| 公开日期 | 2019-10-25 |
| 申请日期 | 2018-02-22 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57246]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 杰弗·W·泰勒 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杰弗·W·泰勒,蔡建红. 实现VCSEL阵列或VCSEL器件的集成电路. CN110383486A. 2019-10-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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