半导体激光器及其激光谐振腔、光学限制结构
文献类型：专利
| 作者 | 刘建平; 江灵荣; 田爱琴; 杨辉 |
| 发表日期 | 2019-10-11 |
| 专利号 | CN110323670A |
| 著作权人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器及其激光谐振腔、光学限制结构 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器及其激光谐振腔、光学限制结构。其中，光学限制结构包括波导层和设于波导层表面上的包覆层，包覆层的折射率小于波导层的折射率，包覆层用于反射从波导层射入包覆层的光线，包覆层为铝铟镓氮四元合金。激光谐振腔包括了上述的两个光学限制结构，两个光学限制结构的波导层彼此面对，从而实现沿激光器的生长方向上的光学限制。半导体激光器包括衬底和上述的激光谐振腔。本发明解决了现有技术中光学限制层结构难以具有较高的光学限制作用的同时，保持稳定的结构的问题。 |
| 公开日期 | 2019-10-11 |
| 申请日期 | 2019-06-25 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57272]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘建平,江灵荣,田爱琴,等. 半导体激光器及其激光谐振腔、光学限制结构. CN110323670A. 2019-10-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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