一种基于光子晶体控制的单模半导体激光器外延结构
文献类型：专利
| 作者 | 郑婉华; 陈忠浩; 周旭彦; 渠红伟; 齐爱谊 |
| 发表日期 | 2019-10-11 |
| 专利号 | CN110323671A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种基于光子晶体控制的单模半导体激光器外延结构 |
| 英文摘要 | 一种基于光子晶体控制的单模半导体激光器外延结构，包括：N型衬底层，用于生长外延材料；N型限制层，配置于N型衬底层之上，用于限制光场向N型区的扩展；光子晶体，配置于N型限制层之上，用于调控输出光场模式；有源区，配置于光子晶体上；P型限制层，配置于有源区之上，用于限制光场向P型区的扩展；P型盖层，配置于P型限制层之上，用于限制光场及降低载流子势垒；P型接触层，配置于P型盖层之上，用于与金属形成欧姆接触。 |
| 公开日期 | 2019-10-11 |
| 申请日期 | 2019-04-19 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57273]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑婉华,陈忠浩,周旭彦,等. 一种基于光子晶体控制的单模半导体激光器外延结构. CN110323671A. 2019-10-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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