窒化物系半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 久納 康光; 竹内 邦生 |
| 发表日期 | 2008-12-04 |
| 专利号 | JP2008294379A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】窒化物系半導体層の膜厚を均一に維持することにより特性および歩留まりの低下が防止された窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。 【解決手段】レーザビームLAの照射前に、GaN基板10の全域にわたって各位置における屈折率n2および吸収係数を測定する。その測定値に基づき、スポット径W2が一定になるように、各位置における距離D、集光角θ1、およびビーム径W1を算出する。また、測定値に基づき、到達パワーI2が一定になるように、各位置におけるレーザビームLAの初期パワーを算出する。これらの算出結果に基づいて、照射条件(距離D、一次集光角θ1、ビーム径W1および初期パワーを含む。)を調整しつつレーザビームLAの走査を行う。 【選択図】図6 |
| 公开日期 | 2008-12-04 |
| 申请日期 | 2007-05-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57331]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 久納 康光,竹内 邦生. 窒化物系半導体素子の製造方法. JP2008294379A. 2008-12-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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