半導体光デバイスの検査方法
文献类型：专利
| 作者 | 鶴見 大輔; 市川 弘之 |
| 发表日期 | 2011-04-21 |
| 专利号 | JP2011082262A |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光デバイスの検査方法 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体光デバイスの検査のためのEL測定において、この測定のために半導体光デバイスに行われる加工による影響を低減できる半導体光デバイスの検査方法を提供すること。 【解決手段】基板、基板上において所定の軸方向に延在する半導体メサ、及び半導体メサを埋め込む埋込層を含む半導体積層体と、半導体積層体の表面上の絶縁膜と、絶縁膜及び半導体メサの主面上に設けられた第一電極と、基板に設けられた第二電極と、を含む半導体光デバイスを準備する工程(S1)と、絶縁膜上の第一電極に、エレクトロルミネッセンスを観察するための開口を形成する工程(S2)と、開口を形成した後に、第一電極と第二電極とを電源に接続する工程(S3)と、半導体光デバイスに電流を印加してエレクトロルミネッセンス発生させる工程(S4)と、開口を介したエレクトロルミネッセンスのパターンを検査する工程(S6)とを備える半導体光デバイスの検査方法。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2011-04-21 |
| 申请日期 | 2009-10-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57341]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鶴見 大輔,市川 弘之. 半導体光デバイスの検査方法. JP2011082262A. 2011-04-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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