用于光电器件的多量子阱结构的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 李淼; 颜建锋; 周健华; 徐黎杰; 郝茂盛 |
| 发表日期 | 2011-06-22 |
| 专利号 | CN102103990A |
| 著作权人 | 上海蓝光科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 用于光电器件的多量子阱结构的制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种用于光电器件的多量子阱结构的制备方法，所述多量子阱结构包括n个依次交叠的量子阱结构，所述量子阱结构由势阱层和势垒层依次生长而成，势阱层的生长包括以下步骤：步骤一，先生长InxGa1-xN势阱层，其中0.1＜x＜0.45；步骤二，生长GaN插入层；步骤三，再先生长InxGa1-xN势阱层，其中0.1＜x＜0.45。本发明通过在生长势阱层的时候，穿插生长1层或2层以上能带宽度不同于InxGa1-xN势阱层的GaN插入层以及In处理层。一方面，IN处理层可以稳定InxGa1-xN的结构，保证量子阱组分的稳定性，控制波长的稳定性和一致性。另一方面，GaN插入层扰动量子阱区的能带结构，提高了电子空穴对的复合几率，从而提高了器件发光的内量子效率；同时，亮度的提升也能够很好的改善器件的寿测性能。 |
| 公开日期 | 2011-06-22 |
| 申请日期 | 2009-12-17 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57342]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 上海蓝光科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李淼,颜建锋,周健华,等. 用于光电器件的多量子阱结构的制备方法. CN102103990A. 2011-06-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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