通信用半導体レーザの製造方法および通信用半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 神山 博幸; 向久保 優; 井上 宏明; 北原 知之 |
| 发表日期 | 2011-09-01 |
| 专利号 | JP2011171759A |
| 著作权人 | OPNEXT JAPAN INC |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 通信用半導体レーザの製造方法および通信用半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】半導体レーザでは、温度にはほとんど依存せずに、内部での光パワーの量、即ち外部で観測される光出力量が大きいほど進行する初期故障モードを有するものがある。光出力量が大きいほど進行する初期故障モードのスクリーニングが不十分であり、初期故障率が従来の活性層材料を有する半導体レーザに比べてやや高めである。 【解決手段】製造工程中に室温などの平均的な動作温度に比べて低い温度での大光出力の試験を取り入れることが有効である。これにより、光出力量が大きいほど進行する初期故障モードを有する素子を排除し、期待寿命を延ばす。 【選択図】図7 |
| 公开日期 | 2011-09-01 |
| 申请日期 | 2011-04-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57347]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OPNEXT JAPAN INC |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 神山 博幸,向久保 優,井上 宏明,等. 通信用半導体レーザの製造方法および通信用半導体レーザ. JP2011171759A. 2011-09-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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