光半導体装置の製造方法及び光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 東 敏生 |
| 发表日期 | 2017-12-28 |
| 专利号 | JP2017228655A |
| 著作权人 | 住友電工デバイス·イノベーション株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置の製造方法及び光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】特性異常の光半導体素子を早期に検出し、無駄な製造工数を低減して製造コストの増大を抑制する。 【解決手段】第1発光素子と第1受光素子とを有する複数の第1光半導体素子と、第2発光素子と第2受光素子とを有し、第2受光素子が第1発光素子に光結合された複数の第2光半導体素子と、を含む半導体基板を形成する工程S40と、第2受光素子に逆バイアス電圧を印加する工程S42と、第1発光素子に順方向電流を供給する工程S44と、第2受光素子に流れる光電流を測定する工程S46と、測定結果に基づいて第1発光素子の合否を判定する工程S48と、半導体基板を劈開することで複数の第1光半導体素子及び複数の第2光半導体素子を分離する工程S50と、判定結果に基づいて光半導体素子をパッケージに搭載する工程S52と、光半導体素子の発光素子の電極をワイヤによって電源に接続する工程S54と、を含む光半導体装置の製造方法。 【選択図】図20 |
| 公开日期 | 2017-12-28 |
| 申请日期 | 2016-06-22 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57372]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電工デバイス·イノベーション株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 東 敏生. 光半導体装置の製造方法及び光半導体装置. JP2017228655A. 2017-12-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。